高盛(Goldman Sachs)認為明年DRAM需求將高於預期

MoneyDJ新聞 2014-10-31 11:56:32 記者 陳苓 報導 記憶體價格血流成河的慘況，明年應該不會上演！韓媒etnews報導，製造商和市場趨勢都顯示，明年DRAM和NAND Flash供需情況將維持穩定，記憶體業有望一路好到2015年。 etnews報導，三星電子(Samsung Electronics)30日反駁記憶體市場可能有供給過剩問題，該公司主管Lee Myeong-jin表示，明年記憶體增產有限，預估需求和供給將維持穩定，並直說無意掀起價格戰。 與此同時，SK海力士(SK Hynix)23日預估，明年DRAM和NAND Flash位元成長率(bit growth)分別為24-26%、40%。該公司內部人士透露，DRAM大廠將調整產品組合，衝刺利潤，而非擴產拼產能。 美光(Micron)9月也預估，明年DRAM和NAND Flash位元成長率各為21-26%、37-46%。半導體高層指出，如果DRAM和NAND Flash位元成長率分為20%、40%，表示記憶體供需狀況非常穩定。 路透社先前報導，產業研究機構DRAMeXchange指出4GB DRAM平均報價十月上半部上漲2.34%，它預期在手機與伺服器需求持續成長的狀況下，DRAM還有進一步漲價的空間。 SK海力士總裁Kim Joon-ho在23日法說會上表示，預期第四季DRAM出貨季增率將介於14~16%、NAND晶片介於24~26%。展望明年，海力士將專注於利潤極大化，而不再只是一昧追求市佔率上的表現。 路透社13日報導，三星電子(Samsung Electronics Co.)執行長兼副董事長權五鉉(Kwon Oh-hyun；見圖)表示，半導體產業明年不會爆發價格戰，絕對不會出現「懦夫博弈(game of chicken)」現象。 韓媒etnews 7日報導，三星半導體產線短期內產能充足，突然增建平澤新廠引發不少揣測。股市分析師稱，三星沒有理由加速生產，很有可能是為了配合當局政策才作出決定。南韓京畿道政府資料顯示，京畿道知事Nam Gyeong-pil 8月曾與三星接班人李在鎔以及副董事長權五鉉(Kwon Oh-hyun)會面，要求三星增加投資。 MoneyDJ新聞 2014-11-12 11:19:25 記者 陳苓 報導 明年智慧機將鎖定UFS(universal Flash storage)開打？韓媒指稱，由於NAND Flash應用介面標準UFS速度快、功耗又低，據稱可望獲得三星電子(Samsung Electronics)和小米(Xiaomi)青睞，在2015年新機採用。 韓媒etnews 12日報導，業界人士透露，三星電子今年底量產UFS 2.0 NAND Flash記憶體，可能會用於明年初發佈的次世代旗艦機「Galaxy S6」。UFS是新的儲存標準，結合固態硬碟(SSD)的高速和eMMC的低功耗，能高速傳輸、耗電量少。 eMMC傳輸速度為每秒400 MB；UFS快上三倍，傳輸速度高達每秒1.2 GB。功耗方面，UFS耗電量少於或近於eMMC，未來耗電量可能僅為eMMC的一半。UFS開發商包括三星電子、SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)等。 據悉三星將逐漸用UFS取代SD卡和micro SD卡，壓寶UFS會蔚為主流。該公司內部人士說，UFS是明年三星智慧機業務的重點，旗艦機種將率先採用。外傳小米新機也有意使用，兩者戰火將更加白熱化。UFS用途廣泛，智慧機之外，也可用於平板電腦等行動裝置。 日本智慧手機/平板電腦情報部落格rbmen及日本IT情報網站Weblog@ 11日報導，根據南韓媒體media.daum指出，三星電子2015年的旗艦機種開賣時間將較歷年提早約1個月，其中Galaxy S6預估將提前至明年3月開賣、Galaxy Note 5也將提前至同年8月開賣。 根據目前傳出的消息顯示，三星S6可能將採用和Galaxy Note Edge一樣的側邊曲面螢幕(Edge screen)設計，惟相較於Galaxy Note Edge是單側Edge screen、S6將採用雙側設計；另外，Note 5則傳出可能將搭載5.9吋4K AMOLED螢幕。 《半導體》搭4G成長列車，晶豪科攻頂 2014/11/27 12:10 時報資訊 【時報記者江俞庭台北報導】隨著三星等大廠將產能轉至生產LPDDR3，導致LPDDR2供不應求，加上4G手機滲透率逐步提升，法人看好晶豪科 (3006) 不僅第四季營運將維持高檔，單月營收可望挑戰10億元水準，明年搭上4G成長列車，成長性可期。 　晶豪科今股價攻上漲停板，報價49.9元，一舉站上季線。 　由於三星等大廠紛紛將Mobile DRAM產能轉至生產LPDDR3，導致LPDDR2供不應求，包括晶片記憶體模組(MCP)由LPDDR與NAND flash整合，而LPDDR2應用於大陸4G網卡、高階功能型手機等出貨量放大，使得晶豪科市佔率提升。 　晶豪科前三季淨利8.08億元，每股盈餘為3.14元，較去年同期的2.18元大幅成長。10月營收為8.87億元，月減5%，年增31%。 　法人看好，晶豪科搭上4G LTE成長列車，對於網卡需求將成長，今年第四季營運也將維持高檔，單月營收可望挑戰10億元水準。

MoneyDJ新聞 2014-11-25 09:36:28 記者 陳苓 報導
高盛(Goldman Sachs)認為明年DRAM需求將高於預期，估計美光(Micron Technology)將因此受惠，雖然維持中立評等，但將目標價從29美元調升至32美元。美光股價大受鼓舞，衝上12年新高。
StreetInsider和Seeking Alpha報導，高盛分析師James Covello報告稱，該行上調美光的每股盈餘預估值和目標價，以反應DRAM強勁需求、華亞科(3474)第3季財報、10億美元庫藏股、日圓走貶等因素。Covello說，他們調整2015年的市況預測，由供需平衡轉為1%DRAM供給不足，相信需求超越先前估計。
然而，Covello強調，他較看好SanDisk，主因DRAM產業的EBIT毛利過高，在半導體產業中名列前茅，難以持續。回報過高吸引大批投資，今年DRAM的資本開支因此年增40%，明年將持續增加。
美光24日漲1.25%收在34.73美元，創2002年3月12日以來收盤新高，今年迄今暴衝59.68%。
美光為華亞科股東，美光破12年新高，華亞科25日開盤走升。台北時間9點32分為止，華亞科漲1.82%至44.70元新台幣。
不過，華亞科走勢似乎和美光逐漸脫鉤，以昨(24)日收盤價43.90元新台幣和7月3日今年收盤高點的61.60元新台幣相較，重挫29%。
MoneyDJ新聞17日報導，TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新報價顯示，長達半年的DRAM合約價漲勢正式宣告終止，DDR3 4GB模組11月上旬合約價下跌3.1%，均價來到31.75美元，合約高價更從33.5美元下滑至32美元，跌幅高達4.5%。